特征

• 输入共模范围：包括V++
• 共模拒绝：
  • 104 dB，最小 （G = 10）
  • 100 dB，最小值为 5 kHz （G = 10）
• 电源抑制：100 dB，最小（G = 1）
• 低偏移电压：150 μV，最大
• 增益漂移： 1 ppm/°C （G = 1），35 ppm/°C （G > 1）
• 噪声：18 nV/√赫，G≥ 100
• 带宽：1 MHz （G = 1），60 kHz （G = 100）
• 高达 40 V ±保护的输入
• 轨到轨输出
• 供应电流：200 μA
• 供应范围：
  • 单电源：3 V 至 36 V
  • 双电源：±1.5 V 至 ±18 V
• 指定温度范围：+40°C
  至 +125°C
• 封装：8 针 VSSOP、SOIC 和 WSON

引脚配置和功能

DGK 和 D 封装8 针 SOIC， VSSOP顶部视图

DRG 封装8 针 Wson顶部视图

6脚为参考输入，此引脚必须由低阻抗驱动。

2 3增益设置引脚。在引脚 2 和引脚 3 之间放置增益电阻。

Thermal pad 内部连接VS，外部连接VS或保持浮动。

设置增益

49.4 kΩ 项来自两个内部 24.7 kΩ 反馈电阻的总和。这些片上电阻器经过激光修剪，具有精确的绝对值。这些电阻器的精度和温度系数包含在 INA826 的增益精度和漂移规格中。

设计要求

此设计具有以下要求：

• 电源电压：±15 V，5 V
• 输入：±10 V，±20 mA
• 输出： 2.5 V， ±2.3 V

电源建议

INA826 的标称性能指定电源电压为 ±15 V，中电源参考电压为 15 V。该器件还可使用 ±1.5 V （3 V） 至 ±18 V （36 V） 和非中电源参考电压的电源进行操作，性能卓越。典型特性部分说明了随工作电压和参考电压可能显著变化的参数。

布局指南

始终建议注意良好的布局实践。保持短线，并在可能的情况下使用印刷电路板 （PCB） 接地层，并尽可能靠近器件引脚放置表面安装组件。将 0.1-μF 旁路电容器靠近电源引脚。在整个模拟电路中应用这些准则以提高性能，并提供降低电磁干扰 （EMI） 易感性等优势。

始终建议注意良好的布局实践。为了获得最佳器件的运行性能，请使用良好的PCB布局实践，包括：

• 确保匹配两个输入路径，以避免将共模信号转换为差分信号。
• 在每个电源引脚和接地之间连接 0.1-μF 的旁路电容器，尽可能靠近器件。
• 尽可能将输入跟踪路由到远离电源或输出跟踪的地方。这减少了寄生耦合。
• 将外部组件尽可能靠近设备。
• 使跟踪尽可能短。
• 对于 DRG 封装：将外露热垫连接到负电源 （+V） 电路上的最低电压电位。