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特性
- 精密仪表放大器演变：
- 第二代：INA828
- 第一代：INA128
- 低失调电压：最大值为 50µV
- 增益漂移：5ppm/°C (G = 1)，50ppm/°C (G > 1)
- 噪声：7nV/√Hz
- 带宽：2MHz (G = 1)、260kHz (G = 100)
- 与 1nF 电容负载一起工作时保持稳定
- 输入保护电压高达 ±40V
- 共模抑制：
- 最小值为 110dB (G = 10)
- 电源抑制：最小值为 100dB (G = 1)
- 电源电流：最大值为 650 µA
- 电源范围：
- 单电源：4.5V 至 36V
- 双电源：±2.25V 至 ±18V
- 额定温度范围：
–40°C 至 +125°C - 封装：8 引脚 SOIC
引脚配置和功能
5脚为参考输入，此引脚必须由低阻抗源驱动。在引脚 1 和引脚 8 之间放置增益电阻。
设计要求
对于此应用程序，设计要求是：
- 4 mA 至 20 mA 输入，负担小于 20 Ω
- ± 20 mA 输入，负担小于 20 Ω
- ±10-V 输入，阻抗约为 100 kΩ
- 最大 4 mA 至 20 mA 或 ±20 mA 负担电压等于 ±0.4 V
- 输出范围在 0 V 至 5 V 范围内
电源建议
INA828 的标称性能指定电源电压为 ±15 V，中电源参考电压为 15 V。该器件还可使用 ±1.5 V （3 V） 至 ±18 V （36 V） 和非中电源参考电压的电源进行操作，性能卓越。典型特性部分说明了随工作电压和参考电压可能显著变化的参数。
INA828 具有单一功能模式，当电源电压大于 4.5 V （±2.25 V） 时，可工作。INA828 的最大电源电压为 36 V（±18 V）。
布局指南
始终建议注意良好的布局实践。为了获得最佳器件的运行性能，请使用良好的PCB布局实践，包括：
- 必须注意确保两个输入路径在源阻抗和电容方面都很好地匹配，以避免将共模信号转换为差分信号。此外，增益设定引脚的寄生电容也会影响 CMRR 的频率。例如，在使用开关或 PhotoMOS 实现增益交换的应用中®继电器以更改 R 的值G，选择组件，使开关电容尽可能小。
- 噪声可以通过整个电路的电源引脚和器件本身的电源引脚传播到模拟电路中。旁路电容器用于通过提供模拟电路本地的低阻抗电源来降低耦合噪声。
- 连接每个电源引脚和接地之间的低ESR、0.1-μF陶瓷旁路电容器，尽可能靠近器件。从 V+ 到接地的单旁路电容器适用于单电源应用。
- 为了减少寄生耦合，请尽可能在远离电源或输出轨迹的地方运行输入跟踪。如果这些轨迹不能分开，则垂直穿过敏感轨迹比与噪声轨迹平行要好得多。
- 将外部组件尽可能靠近设备。如图所示，保持 RG靠近引脚可最大限度地减少寄生电容。
- 使跟踪尽可能短。
设置增益
图片显示 INA828 的增益由单个外部电阻 R 设置G，连接在RG引脚（引脚1和8）之间。
